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高木信一
日本の電子工学者
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「
高木真一
」とは別人です。
高木 信一
(たかぎ しんいち)は日本の電子工学者。
東京大学大学院工学系研究科
電気系工学専攻および工学部電気電子工学科教授。
MOSFET
の高移動度化に関する研究で知られる。
目次
1
経歴
2
主な受賞歴
3
出典
4
外部リンク
経歴
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1982年3月、東京大学工学部電子工学科卒業
1987年3月、東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻博士課程修了
1987年4月、
東芝
総合研究所超LSI研究所研究員
1993年8月、
スタンフォード大学
客員研究員
1995年4月、
東芝
研究開発センター研究主務
2001年8月、半導体MIRAIプロジェクト「新構造トランジスタ及び計測解析技術グループ」グループリーダ兼務
2003年10月、東京大学大学院工学系研究科 教授
主な受賞歴
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2004年
日本IBM科学賞
2012年
山崎貞一賞
[
1
]
2013年
IEEEアンドルー・グローヴ賞
2017年
紫綬褒章
受勲
[
2
]
出典
編集
^
第12回(平成24年度)山崎貞一賞 半導体及び半導体装置分野
^
東京大学大学院工学系研究科トピックス
外部リンク
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高木・竹中研究室
高木信一
- KAKEN
科学研究費助成事業
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